삼성전자가 최선단 기술을 적용한 12나노급 공정으로 16Gb DDR5 D램 양산을 시작했다. 12나노급 공정은 5세대 10나노급 공정을 의미한다. 이를 통해 전(前) 세대 제품 대비 생산성이 약 20% 향상됐다. 아울러 소비 전력 또한 약 23% 개선됐다. 삼성전자는 “D램 미세 공정 경쟁에서 기술경쟁력을 확고히 했다”고 밝혔.
삼성전자에 따르면, 소비 전력 개선으로 데이터센터 등을 운영하는 데 있어 전력 운영 효율을 높일 수 있다. 탄소 배출과 에너지 사용을 줄이는데 적극 동참하고 있는 글로벌 IT 기업들에게 최상의 솔루션이 될 것으로 기대된다.
삼성전자는 유전율(K)이 높은 신소재 적용으로 전하를 저장하는 커패시터(Capacitor)의 용량을 늘렸다. D램의 커패시터 용량이 늘어나면 데이터 신호의 전위차가 커져 구분이 쉬워진다. D램은 커패시터에 저장된 전하로 1, 0을 구분. 커패시터 용량이 커지면 데이터 구분이 명확해지고 데이터가 확실하게 구분되어 오류가 발생하지 않는다. 또 동작 전류 감소 기술과 데이터를 더 확실하게 구분할 수 있는 노이즈 저감 기술도 적용해 업계 최선단 공정을 완성했다.
DDR5 규격의 12나노급 D램은 최고 동작 속도 7.2Gbps(Gigabit per second·1초당 전송되는 기가 비트 단위의 데이터)를 지원한다. 이는 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도이다. 삼성전자는 고객 수요에 맞춰 12나노급 D램 라인업을 지속 확대해 데이터센터·인공지능·차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 계획이다.
삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실을 맡고 있는 이주영 부사장은 “업계 최선단 12나노급 D램은 차별화된 공정 기술력을 기반으로 뛰어난 성능과 높은 전력 효율을 구현했다”며 “삼성전자는 대용량 처리가 요구되는 컴퓨팅 시장 수요에 맞춰 고성능, 고용량을 확보할 뿐만 아니라 높은 생산성으로 제품을 적기에 상용화하여 D램 시장을 지속 선도해 나갈 것”이라고 말했다. [박우진 마켓뉴스 기자]
